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三家半导体大厂 挥军铜制程3D芯片

          联电(2303)、尔必达(Elpida)、力成(6239)等3家半导体大厂今(21)日将宣布策略合作,据了解,3家业者将针对铜制程直通硅晶穿孔(Cu-TSV)3D芯片新技术进行合作开发,除了针对3D堆栈铜制程之高容量DRAM技术合作,未来也将开发DRAM及逻辑芯片之3D堆栈芯片技术,争取手机、高性能家电、游戏机等整合型单芯片市场商机。

    联电与尔必达在2007年底已在低介电铜制程上合作,联电授权尔必达使用其低介电铜导线制程技术,以应用在尔必达的DRAM产品制程上,尔必达则是许可联电将尔必达的DRAM技术应用在嵌入式DRAM制程上。同时,联电与尔必达也针对相位变化随机存取内存(PRAM)进行合作,结合尔必达在硫族化合物(GST)材料的专业硅智财,与联电在互补金属氧化(CMOS)逻辑制程进行整合。

    联电于2008年再度与尔必达延伸合作内容至晶圆代工领域,尔必达将提供其位于日本广岛的12寸厂产能,联电则提供硅智财(IP)及铜制程技术,锁定争取日本IDM厂委外代工订单。

    而随着联电在去年将联日半导体(UMCJ)纳入成为百分之百持股子公司,尔必达的12寸厂产能若得以灵活运用,联电将可顺势进入日本特殊应用芯片(ASIC)代工市场。

    然随着整合型单芯片的市场应用趋于成熟,尔必达于去年宣布成功开发出以Cu-TSV技术生产的8GbDDR3,但为了将Cu-TSV技术应用到逻辑芯片产品线,或是应用到整合内存及逻辑芯片的整合型单芯片市场,于是联电、尔必达不仅决定再度合作,还找上了在TSV市场已有初步研发成果的力成,3家公司共同合作抢进日益重要的Cu-TSV等3D芯片市场。

    相较于联电结合了尔必达及力成的DRAM制造及封测资源,共同开发TSV技术,台积电与转投资封测厂采钰、精材间,已经藉由先进光学封装技术布局3D芯片,并开始量产部分制程采用TSV技术的CMOS影像传感器,同时也在其开放创新平台(OIP)中,提供客户有关TSV相关的晶圆制造及封测等制程。

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