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CCR等离子体源
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ICP射频等离子体源

CCR公司开发的COPRA等离子体源,广泛服务于终端用户,设备制造商和研发机构,可应用于如光学,太阳能,半导体,装饰和硬质镀膜以及存储和显示器行业。CCR凭借在等离子领域超过25年的经验与技术,协助客户不断取得新的成功,并同客户共同成长,开拓了更多的应用领域。

COPRA等离子体源是通过13.56 MHz射频电源进行独特的等离子体激发,由于其功率效率,可扩展性和可靠性优越而得到广泛应用。主要应用包括PECVD,等离子辅助沉积,前处理以及物理和化学刻蚀等。其中PECVD可用于沉积吸收层和钝化层,包括硅和碳的氧化物及氮化物,也可用于沉积光学多层膜以及硬质保护层和装饰涂层等。

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  氮原子等离子体            氧原子等离子体               氩原子等离子体

COPRA等离子体源目前在全球39个国家销售超过600套,由于其优越的性能,COPRA能够实现诸如沉积最薄1.5nm的硬盘防腐蚀保护碳涂层,大于1nm/sec的外延生长晶体硅或锗的高速率沉积以及理想的氧化物和氮化物的高速沉积等。COPRA等离子体源主要的应用包括以下领域:

ü  精密光学:在玻璃或者有机物上除了可沉积多层膜外,另外有2种比较常见的应用,一种是电子枪辅助,另一种是PVD 辅助。

(1)电子枪辅助:可通多种气体,除了做辅助外,有些应用在镀完后可做一层DLC进行保护;

(2)PVD 辅助:主要可用于补氧、补氮一类的应用,适合做氧化物和氮化物。在使用金属靶高速溅射的情况下使用COPRA源补氧或氮进行氧化或氮化,以实现通过磁控溅射的手段快速制备高精密光学薄膜。

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                 电子枪辅助                               用于PVD辅助(氧化/氮化)

ü  太阳能:可用于钝化层,阻挡层以及AR,主要可用于晶硅的Si3N4/Al2O3膜层等

ü  显示行业:主要可用于OLED封装,TCOPET上的硬质镀膜。其中OLED封装主要是使用PECVD沉积Si3N4

ü  存储行业:MRAMTMR,主要是Al2O3沉积(PVD辅助)DLC(PECVD)

ü  半导体:化学及物理刻蚀,基板最大可到12英寸

ü  玻璃行业:可用于表面活化及清洗和PECVD大面积沉积氧化物及氮化物

ü  装饰镀膜:氧化物及氮化物镀膜和DLC镀膜(速度可做到10nm/s)

ü  包装行业:主要用于阻隔膜镀膜

 

COPRA等离子体源的产品系列可分为:

(1)    DN外置圆形源:涵盖DN160CF(2英寸)DN200CF(4英寸)DN250CF(6英寸)DN400(8英寸)DN500(12英寸)2-12英寸指的都是基板尺寸

(2)    IS内置圆形源:该类型源主要用于辅助,可调整角度。常规的尺寸包括IS200IS301IS400IS501

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(3)    LS线性源:LS线性源只能单向沉积,实际如果没有进行限制,也可以双向沉积。该源已经内含气路系统,匹配器安装在源的背面

(4)    RS矩形源:RS矩形源可以双向沉积,也可以根据需要在一面用盲板堵上,只用另外一面进行沉积。匹配器则安装在源的侧面,该源没有包含气路系统,客户需要自行设计或者CCR帮助进行设计

COPRA等离子体源的主要特点:

ü  离子能量和离子电流密度单独可控,离子电流密度增加时,可保持离子能量不变

ü  裂解率高,可达到90%

ü  近乎中性等离子体

ü  不使用灯丝,没有颗粒问题

ü  可扩展性强,可使用从2英寸到1.4米的基板

ü  工作压力范围宽,可使用在0.01-10Pa的环境下

ü  几乎可使用任何工艺气体

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CCR公司实验室PECVD设备     Gen4大面积PECVD用于OLED封装的设备系统

 

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