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德国Melec Hipims电源介绍2022-04-07
美国PPG离子源
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离子源

 1. 离子源选型:

离子源尺寸 型号 应用
3 cm        DC         Small target etch, substrate pre-clean
6 cm   RF    Wide area etch or assist, small target sputter
8 cm DC Medium target etch and substrate pre-clean
12 cm RF Wide area etch or assist, medium target sputter
13 cm DC Wide area etch or assist, medium target sputter
16 cm RF Large area etch, large target sputter
线性离子源 RF Wide area etch, assist, and target sputter

             离子源1.png

 

2. 技术参数:

射频圆形离子源
型号 能量 束流 中和方式
6cm 50~1500eV 200mA 射频中和器
12cm 100~1500eV 400mA 射频中和器
16cm 100~1500eV

600mA

800mA

1000mA

射频中和器
23cm 100~1500eV 1500mA 射频中和器
射频矩形离子源
型号 能量 束流 中和方式
6*22cm 50~1500eV 50~500mA 射频中和器
直流、考夫曼离子源
型号 能量 束流 中和方式
3cm 50~1200eV 75mA

灯丝

等离子桥中和器

8cm 50~1500eV 250mA

灯丝

等离子桥中和器

13cm 50~1500eV 500mA

灯丝

等离子桥中和器

 

 3. 栅网选型:

聚束型 溅射工艺
发散型 清洗、辅助沉积工艺
平直型 刻蚀工艺

离子源2.png.jpg

                      聚束型栅网

离子源3.jpg

                       发散型栅网

离子源4.jpg

                       平直型栅网

 

 

 

 

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